电力电子器件的后硅时代
报告内容简介
回顾作为电源开关设备的关键要求。在此基础上，对硅基、碳化硅基和氮化镓基器件在阻断电压上、功耗和开关频率等方面进行了比较。本文还回顾了SiC肖特基二极管的发展现状。具体说明了有关SiC MOSFET的早期发展和最新结果。本演讲综述了栅氧氮化技术在MOS器件上提高其隧道迁移率和可靠性的应用。最后对山东大学当前的研发活动进行了概述总结。
报告人简介
韩吉胜，在山东大学取得了固态物理学学士学位和硕士学位、在澳大利亚阿德莱德市南澳大学取得了博士学位。作为研究员、高级研究员、主任研究员和教授曾就职于格里菲斯大学昆士兰微纳米技术中心及工程学院。他在大学和工业界有二十多年的超净间芯片制造经验。在他的职业生涯中，他曾与许多行业伙伴合作研发SiC 功率器件，如安森美（Onsemi）、英飞凌（Infineon）、通用电气（General Electric）、风险投资公司Qs半导体。现为山东大学新一代半导体材料研究院教授。