航空航天电源中的宽禁带半导体功率器件：机遇与挑战
报告内容简介
航空航天技术的快速发展对航空航天系统电源中使用的功率器件提出了高效率、大功率、高功率密度的需求。得益于比Si材料具有的高电子饱和速率、高临界击穿场强等材料优势，基于宽禁带半导体材料碳化硅及氮化镓的功率器件具有高耐压、高开关速度及高温工作的特点。本报告围绕SiC二极管和MOSFET功率器件的单粒子辐射诱生缺陷、单粒子辐射退化和烧毁机理、抗辐射加固技术等三个方面的国内外研究现状和研究成果进行阐述，最后对抗辐照SiC功率器件在航天电源的应用做出展望。同时，也会简要介绍GaN功率器件在电源应用中存在的挑战。
报告人简介
刘新宇，研究员，现任中科院微电子所学术委员会副主任，国家高层次领军人才，现任国家6G技术总体组专家、国家某专用技术领域微电子组专家，科技委某优先方向专家组组长等，享受国务院政府特殊津贴。承担国家01/02/03专项、国家攻关工程、科技部973项目、中科院先导C专项、高技术项目、国家自然基金重点项目等多项国家级重大项目。长期专注于微波功率芯片及超高速芯片研制，在ACS AM&I,IEDM,JSSC等期刊和会议上发表论文430余篇，授权专利150余项。相关成果获省部级等科学技术奖励5项等。