基于埋入式基板的Chiplet高电流密度供电技术
报告内容简介：
随着集成电路工艺制程接近物理极限，叠加摩尔定律放缓的趋势，AI训练与推理的算力需求牵引着高性能计算Chiplet功耗逐年呈现指数级增长的趋势，并对配套的供电模组提出了高电流密度需求。传统供电技术在体积、效率等方面已无法满足数据中心对集成密度与低碳运营的要求。本报告阐述了高性能计算芯片供配电架构及其集成封装技术的发展趋势，回顾了面向Chiplet应用的高电流密度供电模块及其拓扑结构的研究现状，介绍了国际上主流埋入式基板工艺流程及其在高电流密度供电中的应用情况。
个人简介
曹立强，男，中科院微电子所副所长、研究员，国家高层次领军人才，百千万人才工程，国务院特殊津贴。是我国集成电路封装领域学术带头人，2009年回国加入微电子所，围绕先进封装取得多项关键突破：率先开展2.5D/3D封装研发并实现小批量生产，荣获二十一届中国专利银奖，向华为等领军企业输出关键技术，缓解卡脖子问题；建设国内最先进的基板线，关键指标与国际水平并跑或领先，承担国家攻关等核心任务；牵头成立华进半导体，获评国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心并担任主任，技术辐射全行业；牵头成立国产封装材料评估与改进联合体，实现重要封装材料自主可控。担任02专项总体专家组成员，国际电子封装技术会议共同主席等职务，发表论文200余篇，专利150余项，荣获省部级科技奖励4项。